Epitaxial growth of BaTiO3 on Si and SOI by molecular beam epitaxy for ferroelectric applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Epitaxial growth of BaTiO3 on Si and SOI by molecular beam epitaxy for ferroelectric applications

Résumé

no abstract

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Optique / photonique Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Laboratoire INL UMR5270 Inl  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01489874

Soumis le : mardi 14 mars 2017-16:37:59

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:11

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Dates et versions

hal-01489874 , version 1 (14-03-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01489874 , version 1

Citer

Lucie Mazet, Romain Bachelet, Lamis Louahadj, Sylvie Schamm-Chardon, Martin Hÿtch, et al.. Epitaxial growth of BaTiO3 on Si and SOI by molecular beam epitaxy for ferroelectric applications. ISAF 2014, May 2014, Penn State University in State College, PA, USA, United States. ⟨hal-01489874⟩

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