Epitaxial growth by molecular beam epitaxy of ferroelectric BaTiO3 on silicon - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Epitaxial growth by molecular beam epitaxy of ferroelectric BaTiO3 on silicon

M. Yang
Martin Hÿtch
Sylvie Schamm-Chardon

Résumé

no abstract
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01489873 , version 1 (14-03-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01489873 , version 1

Citer

Lucie Mazet, Romain Bachelet, Guillaume Saint-Girons, M. Yang, S. Kalinin, et al.. Epitaxial growth by molecular beam epitaxy of ferroelectric BaTiO3 on silicon. Workshop “Les oxydes pour l’optique et la photonique”, 2014, Meudon, France. ⟨hal-01489873⟩
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