BaTiO3 grown on Si and SOI by molecular beam epitaxy for nanoelectronics - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01489864 , version 1 (14-03-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01489864 , version 1

Citer

Lucie Mazet, Romain Bachelet, Lamis Louahadj, David Albertini, Brice Gautier, et al.. BaTiO3 grown on Si and SOI by molecular beam epitaxy for nanoelectronics. 13èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, 2014, Nantes, France. ⟨hal-01489864⟩
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