BaTiO3 grown on Si (001) by Molecular Beam Epitaxy for low power field-effect devices
Résumé
no abstract
no abstract
Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01489807
Soumis le : mardi 14 mars 2017-16:36:22
Dernière modification le : vendredi 25 juillet 2025-03:28:44