Enhancing electrical performances of Metallic DG-SET based circuits by Tunnel junction engineering - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Enhancing electrical performances of Metallic DG-SET based circuits by Tunnel junction engineering

Résumé

no abstract

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

Laboratoire INL UMR5270 Inl  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01489101

Soumis le : mardi 14 mars 2017-11:06:52

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01489101 , version 1 (14-03-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01489101 , version 1

Citer

K. El Hajjam, Mohamed-Amine Bounouar, D. Drouin, Francis Calmon. Enhancing electrical performances of Metallic DG-SET based circuits by Tunnel junction engineering. Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2016, Vienna, Austria. ⟨hal-01489101⟩

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