GASB/GAAS HETEROEPITAXY CHARACTERIZED AS A STRESS-FREE SYSTEM - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Surface Science Année : 1991

GASB/GAAS HETEROEPITAXY CHARACTERIZED AS A STRESS-FREE SYSTEM

C Raisin
  • Fonction : Auteur
A Rocher
  • Fonction : Auteur
Robert Carles
L Lassabatere
  • Fonction : Auteur

Résumé

no abstract

Dates et versions

hal-01481842 , version 1 (02-03-2017)

Identifiants

Citer

C Raisin, A Rocher, Georges Landa, Robert Carles, L Lassabatere. GASB/GAAS HETEROEPITAXY CHARACTERIZED AS A STRESS-FREE SYSTEM. Applied Surface Science, 1991, 50 (1-4), pp.434-439. ⟨10.1016/0169-4332(91)90213-4⟩. ⟨hal-01481842⟩
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