MBE growth and Raman analysis of [hhk]GaAs (Si or CaF2) highly strained heterostructures
Résumé
no abstract
Georges Landa : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01481832
Soumis le : jeudi 2 mars 2017-23:40:38
Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:21