First-principles study of near surface point defects stability in Si (100) and SiGe(100)
Résumé
no abstract
Georges Landa : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01481811
Soumis le : jeudi 2 mars 2017-23:40:05
Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:17