X-ray diffraction analysis of thermally-induced stress relaxation in ZnO films deposited by magnetron sputtering on (100) Si substrates - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2010

X-ray diffraction analysis of thermally-induced stress relaxation in ZnO films deposited by magnetron sputtering on (100) Si substrates

Domaines

Chimie-Physique [physics.chem-ph] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Electromagnétisme Optique / photonique

Rémi Lazzari  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01442841

Soumis le : samedi 21 janvier 2017-14:20:49

Dernière modification le : mardi 19 novembre 2024-21:09:22

Consulter sur la plateforme ISTEX

Dates et versions

hal-01442841 , version 1 (21-01-2017)

Identifiants

Citer

F. Conchon, P. O. Renault, P. Goudeau, Éric Le Bourhis, E. Sondergard, et al.. X-ray diffraction analysis of thermally-induced stress relaxation in ZnO films deposited by magnetron sputtering on (100) Si substrates. Thin Solid Films, 2010, 518 (18), pp.5237 - 5241. ⟨10.1016/j.tsf.2010.04.037⟩. ⟨hal-01442841⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UPMC ESPCI CNRS UNIV-POITIERS INSP ALLINSP PARISTECH SVI INSP-E9 INC-CNRS PSL UNIV-PARIS-SACLAY SORBONNE-UNIVERSITE SU-SCIENCES GS-PHYSIQUE LPSO URP-LPS CHIMIE-SU
274 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

More