Functionality and reliability of resistive RAM (RRAM) for non-volatile memory applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Functionality and reliability of resistive RAM (RRAM) for non-volatile memory applications

G. Molas
  • Fonction : Auteur
G. Piccolboni
  • Fonction : Auteur
M. Barci
  • Fonction : Auteur
B. Traore
  • Fonction : Auteur
J. Guy
  • Fonction : Auteur
G. Palma
  • Fonction : Auteur
E. Vianello
  • Fonction : Auteur
P. Blaise
  • Fonction : Auteur
A. Levisse
  • Fonction : Auteur
B. Giraud
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 911797
  • IdHAL : bg-giraud
J. P. Noel
  • Fonction : Auteur
M. Harrand
  • Fonction : Auteur
M. Bernard
  • Fonction : Auteur
A. Route
  • Fonction : Auteur
B. de Salvo
  • Fonction : Auteur
L. Perniola
  • Fonction : Auteur

Résumé

Various RRAM concepts are currently being investigated (Oxide based RAM, Conductive Bridge RAM), all showing pros and cons depending on the architecture and memory stack. As the specifications are strongly application-dependent, it is likely that the RRAM technology will be bound to a specific market segment. In this paper, we discuss the potential of RRAM for non-volatile memory applications, among them: storage class memory, embedded memory, programmable logic, mass storage and neuromorphic applications. By means of experimental studies and simulations, we analyze the role of the integrated materials on the memory performances and reliability and try to propose optimized stacks suitable for each targeted application.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01435224 , version 1 (13-01-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01435224 , version 1

Citer

G. Molas, G. Piccolboni, M. Barci, B. Traore, J. Guy, et al.. Functionality and reliability of resistive RAM (RRAM) for non-volatile memory applications. 2016 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, SYSTEMS AND APPLICATION (VLSI-TSA), 2016, Unknown, Unknown Region. ⟨hal-01435224⟩
108 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More