Si1-xGex alloys on III-V (100): first steps in film growth by low temperature PECVD epitaxy - Archive ouverte HAL
Poster De Conférence Année : 2016

Si1-xGex alloys on III-V (100): first steps in film growth by low temperature PECVD epitaxy

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux Electronique

Raphaël Lachaume  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01424658

Soumis le : lundi 2 janvier 2017-16:13:21

Dernière modification le : jeudi 1 août 2024-13:48:05

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Dates et versions

hal-01424658 , version 1 (02-01-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01424658 , version 1

Citer

Nicolas Vaissiere Vaissière, Gwenaëlle Hamon, Raphaël Lachaume, Wanghua Chen, Jean Decobert, et al.. Si1-xGex alloys on III-V (100): first steps in film growth by low temperature PECVD epitaxy. Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV), Nov 2016, Dourdan, France. 2016. ⟨hal-01424658⟩

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