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Poster De Conférence Année : 2016

Si1-xGex alloys on III-V (100): first steps in film growth by low temperature PECVD epitaxy

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01424658 , version 1 (02-01-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01424658 , version 1

Citer

Nicolas Vaissiere Vaissière, Gwenaëlle Hamon, Raphaël Lachaume, Wanghua Chen, Jean Decobert, et al.. Si1-xGex alloys on III-V (100): first steps in film growth by low temperature PECVD epitaxy. Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV), Nov 2016, Dourdan, France. 2016. ⟨hal-01424658⟩
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