Modélisation 2D de la courbure de bandes de l'interface Pt-Si-Electrolyte, vers une meilleure compréhension des mécanismes de gravure chimique - Archive ouverte HAL
Poster De Conférence Année : 2016

Modélisation 2D de la courbure de bandes de l'interface Pt-Si-Electrolyte, vers une meilleure compréhension des mécanismes de gravure chimique

Sylvain Le Gall
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris
CV
Raphaël Lachaume
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris
CV
Encarnacion Torralba-Penalver
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est
Mathieu Halbwax
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Optoélectronique - IEMN
Vincent Magnin
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Optoélectronique - IEMN
Joseph Harari
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Optoélectronique - IEMN
Jean-Pierre Vilcot
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Optoélectronique - IEMN
Christine Cachet-Vivier
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est
S. Bastide
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux Electronique

Raphaël Lachaume  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : lundi 2 janvier 2017-16:08:10

Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:30:22

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Dates et versions

hal-01424650 , version 1 (02-01-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01424650 , version 1

Citer

Sylvain Le Gall, Raphaël Lachaume, Encarnacion Torralba-Penalver, Mathieu Halbwax, Vincent Magnin, et al.. Modélisation 2D de la courbure de bandes de l'interface Pt-Si-Electrolyte, vers une meilleure compréhension des mécanismes de gravure chimique. Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV), Nov 2016, Dourdan, France. , 2016. ⟨hal-01424650⟩

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