Direct Growth of Crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: Towards Hybrid Tunnel Junctions for III-V/Si Tandem Cells - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Direct Growth of Crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: Towards Hybrid Tunnel Junctions for III-V/Si Tandem Cells

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux Electronique

Raphaël Lachaume  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01424644

Soumis le : lundi 2 janvier 2017-16:01:49

Dernière modification le : jeudi 1 août 2024-13:48:05

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Dates et versions

hal-01424644 , version 1 (02-01-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01424644 , version 1

Citer

Gwenaëlle Hamon, Jean Decobert, Nicolas Vaissiere Vaissière, Raphaël Lachaume, Romain Cariou, et al.. Direct Growth of Crystalline Silicon on GaAs by Low Temperature PECVD: Towards Hybrid Tunnel Junctions for III-V/Si Tandem Cells. Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV), Nov 2016, Dourdan, France. ⟨hal-01424644⟩

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