Modeling of tandem cells InGaN/Si: Comparison 2-contacts/4-contacts - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Modeling of tandem cells InGaN/Si: Comparison 2-contacts/4-contacts

Domaines

Energie électrique Electronique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Anne Migan  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01420566

Soumis le : mardi 20 décembre 2016-17:18:12

Dernière modification le : mardi 27 août 2024-11:55:44

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01420566 , version 1 (20-12-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01420566 , version 1

Citer

Walid El-Huni, Anne Migan-Dubois, Zakaria Djebbour. Modeling of tandem cells InGaN/Si: Comparison 2-contacts/4-contacts. 2nd workshop Theory and Modeling for photovoltaic, Oct 2016, Palaiseau, France. ⟨hal-01420566⟩

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