High-efficiency indium gallium nitride/Si tandem photovoltaic solar cells modeling using indium gallium nitride semibulk material: monolithic integration versus 4-terminal tandem cells - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Progress in Photovoltaics Année : 2016

High-efficiency indium gallium nitride/Si tandem photovoltaic solar cells modeling using indium gallium nitride semibulk material: monolithic integration versus 4-terminal tandem cells

Domaines

Energie électrique Electronique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Anne Migan  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01420488

Soumis le : mardi 20 décembre 2016-16:42:52

Dernière modification le : mardi 27 août 2024-11:55:44

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Dates et versions

hal-01420488 , version 1 (20-12-2016)

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Citer

Walid El-Huni, Anne Migan-Dubois, Zakaria Djebbour, Jean-Paul Salvestrini, Abdallah Ougazzaden. High-efficiency indium gallium nitride/Si tandem photovoltaic solar cells modeling using indium gallium nitride semibulk material: monolithic integration versus 4-terminal tandem cells. Progress in Photovoltaics, 2016, 24 (11), pp.1436 - 1447. ⟨10.1002/pip.2807⟩. ⟨hal-01420488⟩

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