Characterization and modeling of group IV defects in MOS devices - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Characterization and modeling of group IV defects in MOS devices

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux Electronique

Raphaël Lachaume  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01416380

Soumis le : mercredi 14 décembre 2016-14:14:05

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:03

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Dates et versions

hal-01416380 , version 1 (14-12-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01416380 , version 1

Citer

Raphaël Lachaume, Arouna Darga, Ivana Capan. Characterization and modeling of group IV defects in MOS devices . COST MultiScaleSolar workshop, Ruđer Bošković Institute, Oct 2016, Zagreb, Croatia. ⟨hal-01416380⟩

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