Physics-based electrical compact model for monolayer Graphene FETs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Physics-based electrical compact model for monolayer Graphene FETs

Jorge Daniel Aguirre-Morales
  • Fonction : Auteur
Sebastien Fregonese
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Chhandak Mukherjee
Cristell Maneux
Thomas Zimmer
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860621
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Wei Wei
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 916960
Henri Happy
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01399868

Soumis le : lundi 21 novembre 2016-10:02:17

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-01399868 , version 1 (21-11-2016)

Identifiants

Citer

Jorge Daniel Aguirre-Morales, Sebastien Fregonese, Chhandak Mukherjee, Cristell Maneux, Thomas Zimmer, et al.. Physics-based electrical compact model for monolayer Graphene FETs. Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2016 46th European, Sep 2016, Lausanne, Switzerland. ⟨10.1109/ESSDERC.2016.7599630⟩. ⟨hal-01399868⟩

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