Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part I: Analysis - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2016

Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part I: Analysis

Chhandak Mukherjee
Thomas Jacquet
  • Fonction : Auteur
Anjan Chakravorty
  • Fonction : Auteur
Thomas Zimmer
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Josef Bock
  • Fonction : Auteur
Klaus Aufinger
  • Fonction : Auteur
Cristell Maneux
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01399855

Soumis le : lundi 21 novembre 2016-09:43:30

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01399855 , version 1 (21-11-2016)

Identifiants

Citer

Chhandak Mukherjee, Thomas Jacquet, Anjan Chakravorty, Thomas Zimmer, Josef Bock, et al.. Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part I: Analysis. IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63 (9), pp.3649 - 3656. ⟨10.1109/TED.2016.2589159⟩. ⟨hal-01399855⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS IMS-BORDEAUX IMS-BORDEAUX-FUSION
104 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

More