Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part II: Correlation and Modeling - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2016

Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part II: Correlation and Modeling

Chhandak Mukherjee
Thomas Jacquet
  • Fonction : Auteur
Anjan Chakravorty
  • Fonction : Auteur
Thomas Zimmer
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Josef Bock
  • Fonction : Auteur
Klaus Aufinger
  • Fonction : Auteur
Cristell Maneux
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01399852

Soumis le : lundi 21 novembre 2016-09:41:05

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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Dates et versions

hal-01399852 , version 1 (21-11-2016)

Identifiants

Citer

Chhandak Mukherjee, Thomas Jacquet, Anjan Chakravorty, Thomas Zimmer, Josef Bock, et al.. Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part II: Correlation and Modeling. IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63 (9), pp.3657 - 3662. ⟨10.1109/TED.2016.2588318⟩. ⟨hal-01399852⟩

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