Diffusion-driven growth of nanowires by low-temperature molecular beam epitaxy - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2016

Diffusion-driven growth of nanowires by low-temperature molecular beam epitaxy

P. Rueda-Fonseca
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
M. Orrù
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
E. Bellet-Amalric
Nanophysique et Semiconducteurs
Eric Robin
Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
CV
M. den Hertog
Matériaux, Rayonnements, Structure
Y. Genuist
  • Fonction : Auteur
Epitaxie et couches minces
R. André
Nanophysique et Semiconducteurs
CV
S. Tatarenko
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
Joel Cibert
Nanophysique et Semiconducteurs

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]
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Citer

P. Rueda-Fonseca, M. Orrù, E. Bellet-Amalric, Eric Robin, M. den Hertog, et al.. Diffusion-driven growth of nanowires by low-temperature molecular beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 2016, 119 (16), pp.164303. ⟨10.1063/1.4947269⟩. ⟨hal-01390687⟩

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