Symmetry-Based Tight Binding Modeling of Halide Perovskite Semiconductors
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Article Dans Une Revue
Journal of Physical Chemistry Letters
Année : 2016
jacky even : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01366310
Soumis le : jeudi 5 janvier 2017-14:52:34
Dernière modification le : jeudi 17 octobre 2024-11:46:04
Archivage à long terme le : jeudi 6 avril 2017-13:53:39
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01366310 , version 1
- DOI : 10.1021/acs.jpclett.6b01749
- PUBMED : 27623678
Citer
Soline Boyer-Richard, Claudine Katan, Boubacar Traoré, Reinhard Scholz, Jean-Marc Jancu, et al.. Symmetry-Based Tight Binding Modeling of Halide Perovskite Semiconductors. Journal of Physical Chemistry Letters, 2016, 7 (19), pp.3833-3840. ⟨10.1021/acs.jpclett.6b01749⟩. ⟨hal-01366310⟩
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