Analyse de la robustesse des MOSFET SiC pour les applications diode-less - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Analyse de la robustesse des MOSFET SiC pour les applications diode-less

Résumé

Le carbure de silicium, SiC, présente plusieurs avantages par rapport au silicium pour des applications en électronique de puissance, notamment en termes de faibles pertes. Néanmoins, la maturité technologique n'est pas totalement acquise et des problèmes de fiabilité persistent. Ce papier présente l'étude de l'utilisation des MOSFET SiC sur des applications de type onduleur «diode-less», ainsi que les différents phénomènes associés, parmi lesquels la dégradation de l'oxyde de grille. Plusieurs composants ont été testés et caractérisés périodiquement dans le cas d'un fonctionnement sous conduction inverse. Suite à cette caractérisation, il est observé une dérive de la tension de seuil fortement dépendante du rapport cyclique. Toutefois la jonction P-N ne montre pas de dégradation importante.
Fichier principal
Vignette du fichier
05_05_2016_Analyse_de_la_robustesse_des_MOSFET_SiC_pour_les_applications_diode_less.pdf (341.51 Ko) Télécharger le fichier
2015_11_12_Analyse_de_la_Robustesse_des_MOSFET_SiC_en_mode_hacheur_v2.pdf (244.33 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Loading...

Dates et versions

hal-01361711 , version 1 (07-09-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01361711 , version 1

Citer

Oriol Aviño Salvado, Cheng Chen, Cyril Buttay, Hervé Morel, Denis Labrousse, et al.. Analyse de la robustesse des MOSFET SiC pour les applications diode-less. Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361711⟩
271 Consultations
1137 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More