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Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Modèle analytique d'estimation des pertes dans une cellule de commutation MOSFET-diode Schottky SiC en vue de la conception et de l'optimisation d'un dissipateur thermique

Résumé

Dans cet article nous présentons un modèle analytique d'estimation des pertes dans une cellule de commutation à base de composants carbure de Silicium (SiC). L'approche utilisée pour la synthèse du modèle est détaillée dans la première partie de ce document. Dans la seconde partie de cet article nous présentons la méthode expérimentale utilisée pour l'estimation des pertes dans une cellule de commutation. La dernière partie de ce document sera consacré à la confrontation des résultats expérimentaux obtenus aux résultats prédits par le modèle analytique.
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Dates et versions

hal-01361667 , version 1 (07-09-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01361667 , version 1

Citer

Gnimdu Dadanema, François Costa, Jean-Luc Schanen, Christian Vollaire, Yvan Avenas. Modèle analytique d'estimation des pertes dans une cellule de commutation MOSFET-diode Schottky SiC en vue de la conception et de l'optimisation d'un dissipateur thermique. Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361667⟩
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