Poster De Conférence
Année : 2016
Remi Dussart : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01344725
Soumis le : mardi 12 juillet 2016-14:29:41
Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-11:28:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01344725 , version 1
Citer
Stefan Tinck, Erik Neyts, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Annemie Bogaerts. Cryogenic etching of silicon with SF6/O2: a computational and experimental study. Plasma Etch and Strip in Microtechnology, May 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01344725⟩
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