Les matériaux sous forme de couches minces sont couramment analysés par diffraction des rayons X en incidence rasante. Cependant, afin d'extraire les informations caractéristiques de ces systèmes, il est nécessaire de prendre en compte les effets d’élargissement instrumental dans les programmes d'affinement par la méthode de Rietveld utilisés pour le traitement des données. Dans cet exposé, il sera montré que cela permet d'extraire des informations quantitatives pertinentes sur la structure (contrainte et positions atomiques) et sur la microstructure (taille des cristallites et micro-contraintes) qui seront mises en relation avec la chimie des films minces. Ces points seront illustrés en prenant quelques exemples aussi bien de couches minces d'oxydes que de chalcogénures.