Cet article propose une méthode pour calculer les dimensions et la polarisation des transistors d’un circuit analogique CMOS en se fondant sur la connaissance du concepteur, sans avoir recours à un simulateur. Cette méthode suppose que le circuit est décrit comme une hiérarchie de modules et de dispositifs élémentaires dans le langage CAIRO+. Un dispositif élémentaire est composé d’un petit nombre de transistors interconnectés, parmi lesquels on définit un transistor de référence, qui contrôle le dimensionnement et la polarisation des autres transistors au sein du dispositif. Ce contrôle est exprimé sous la forme d’un graphe de dépendances. On peut construire le graphe de dépendance du circuit entier à partir de sa description hiérarchique. Celui-ci permet d’assurer que les contraintes électriques sont satisfaites par construction. Cette méthode est illustrée par le calcul automatique de la polarisation et du dimensionnement d’un OTA deux étages.