1.54 μm InAs/InP p-type doped quantum-dash-based DFB lasers for isolator-free operation - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

1.54 μm InAs/InP p-type doped quantum-dash-based DFB lasers for isolator-free operation

Résumé

The tolerance to optical feedback of p-type doped InAs/InP quantum dash based DFB lasers is investigated. Optimized devices show a record -18 dB onset of coherence collapse compliant with 10 Gb/s Ethernet standard for isolator-free operation

Domaines

Optique / photonique

Médiathèque Télécom SudParis & Institut Mines-Télécom Business School  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01333322

Soumis le : vendredi 17 juin 2016-11:31:51

Dernière modification le : mardi 17 septembre 2024-15:52:24

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01333322 , version 1 (17-06-2016)

Identifiants

Citer

Kamel Merghem, Sheherazade Azouigui, Qin Zou, Anthony Martinez, Nicolas Chimot, et al.. 1.54 μm InAs/InP p-type doped quantum-dash-based DFB lasers for isolator-free operation. ISLC 2010 : 22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference, Sep 2010, Kyoto, Japan. pp.178 - 179, ⟨10.1109/ISLC.2010.5642654⟩. ⟨hal-01333322⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS TELECOM-SUDPARIS INSTITUT-MINES-TELECOM
112 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

More