Determination of physical properties of semiconductor-oxide-semiconductor structures using a new fast gate current measurement protocol. - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Determination of physical properties of semiconductor-oxide-semiconductor structures using a new fast gate current measurement protocol.

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Sciences de l'environnement

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https://hal.science/hal-01315415

Soumis le : vendredi 13 mai 2016-10:48:33

Dernière modification le : mardi 10 septembre 2024-18:03:49

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01315415 , version 1 (13-05-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01315415 , version 1

Citer

P. Chiquet, P. Masson, Gilles Micolau, R. Laffont, F. Lalande, et al.. Determination of physical properties of semiconductor-oxide-semiconductor structures using a new fast gate current measurement protocol.. 11th IEEE International Conference on Solid Dielectrics , Jul 2013, Bologne, Italy. ⟨hal-01315415⟩

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