Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2014
Gwendal Fève : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01310651
Soumis le : lundi 2 mai 2016-23:48:34
Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:14:08
Citer
A. C. Betz, S. Barraud, Q. Wilmart, B. Plaçais, X. Jehl, et al.. High-frequency characterization of thermionic charge transport in silicon-on-insulator nanowire transistors. Applied Physics Letters, 2014, 104 (4), pp.043106. ⟨10.1063/1.4863538⟩. ⟨hal-01310651⟩
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