Carrier recombination dynamics and internal electric fields in GaN/AlN self-organized quantum dots. - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Carrier recombination dynamics and internal electric fields in GaN/AlN self-organized quantum dots.

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique [physics.optics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

Pierre Lefebvre  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01309937

Soumis le : dimanche 1 mai 2016-10:33:32

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Dates et versions

hal-01309937 , version 1 (01-05-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01309937 , version 1

Citer

Pierre Lefebvre, Thierry Bretagnon, Thierry Taliercio, Thierry Guillet, Bernard Gil, et al.. Carrier recombination dynamics and internal electric fields in GaN/AlN self-organized quantum dots.. 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS6). , Aug 2006, Brème, Germany. ⟨hal-01309937⟩

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