Micro-Photoluminescence of isolated GaN/AlN hexagonal QDs: Role of the trapping dynamics of charges at AlN defects - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Micro-Photoluminescence of isolated GaN/AlN hexagonal QDs: Role of the trapping dynamics of charges at AlN defects

Richard Bardoux
  • Fonction : Orateur
  • PersonId : 884048
Groupe d'étude des semiconducteurs
Pierre Lefebvre
Groupe d'étude des semiconducteurs
CV
Thierry Guillet
Groupe d'étude des semiconducteurs
CV
Thierry Bretagnon
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 997276
Groupe d'étude des semiconducteurs
Thierry Taliercio
Groupe d'étude des semiconducteurs
CV
Bernard Gil
Groupe d'étude des semiconducteurs
Fabrice Semond
  • Fonction : Auteur
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique [physics.optics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

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https://hal.science/hal-01306794

Soumis le : lundi 25 avril 2016-15:38:20

Dernière modification le : mardi 22 octobre 2024-18:36:09

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Dates et versions

hal-01306794 , version 1 (25-04-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01306794 , version 1

Citer

Richard Bardoux, Pierre Lefebvre, Thierry Guillet, Thierry Bretagnon, Thierry Taliercio, et al.. Micro-Photoluminescence of isolated GaN/AlN hexagonal QDs: Role of the trapping dynamics of charges at AlN defects . 14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop (14th Euro-MBE), Mar 2007, Grenade, Spain. ⟨hal-01306794⟩

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