Comment on ``Destructive effect of disorder and bias voltage on interface resonance transmission in symmetric tunnel junctions'' - Tusche et al. reply - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physical Review Letters Année : 2006

Comment on ``Destructive effect of disorder and bias voltage on interface resonance transmission in symmetric tunnel junctions'' - Tusche et al. reply

C Tusche
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Hl Meyerheim
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Nathalie Jedrecy
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Institut des Nanosciences de Paris
G Renaud
  • Fonction : Auteur
A Ernst
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J Henk
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P Bruno
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J Kirschner
  • Fonction : Auteur

Résumé

no abstract

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]

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https://hal.science/hal-01288820

Soumis le : mardi 15 mars 2016-16:19:57

Dernière modification le : mercredi 13 mars 2024-09:40:09

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Dates et versions

hal-01288820 , version 1 (15-03-2016)

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Citer

C Tusche, Hl Meyerheim, Nathalie Jedrecy, G Renaud, A Ernst, et al.. Comment on ``Destructive effect of disorder and bias voltage on interface resonance transmission in symmetric tunnel junctions'' - Tusche et al. reply. Physical Review Letters, 2006, 96 (11), pp.119602. ⟨10.1103/PhysRevLett.96.119602⟩. ⟨hal-01288820⟩

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