Un modèle électrothermique de transistor bipolaire forte puissance pour la simulation non linéaire - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1995

Un modèle électrothermique de transistor bipolaire forte puissance pour la simulation non linéaire

Résumé

no abstract

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01280054 , version 1 (29-02-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01280054 , version 1

Citer

Raphaël Sommet, Jean-Pierre Teyssier, Jean-Pierre Viaud, Jean-Claude Giraudon, Raymond Quéré. Un modèle électrothermique de transistor bipolaire forte puissance pour la simulation non linéaire. 9eme Journées Nationales miccroondes, 1995, Paris, France. ⟨hal-01280054⟩

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