A CAD electrothermal model for the nonlinear simulation of high power silicon bipolar transistor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1996
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01279784 , version 1 (26-02-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01279784 , version 1

Citer

Raphaël Sommet, Thierry Peyretaillade, Alain Mallet, Jean-Pierre Teyssier, Raymond Quéré. A CAD electrothermal model for the nonlinear simulation of high power silicon bipolar transistor. 4 th International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimeterwave Circuits - DUISBURG, 1996, Unknown, Unknown Region. ⟨hal-01279784⟩

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