GaN materials growth by MOVPE in a new-design reactor using DMHy and NH 3 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2007

GaN materials growth by MOVPE in a new-design reactor using DMHy and NH 3

Résumé

no abstract
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01276979 , version 1 (21-02-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01276979 , version 1

Citer

S Gautier, C Sartel, Sidi Ould Saad Hamady, J Martin, A Sirenko, et al.. GaN materials growth by MOVPE in a new-design reactor using DMHy and NH 3. Journal of Crystal Growth, 2007, 298, pp.428--432. ⟨hal-01276979⟩
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