Electronic properties of CVD Graphene capped with p and n-type doped amorphous silicon - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Electronic properties of CVD Graphene capped with p and n-type doped amorphous silicon

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01232115

Soumis le : dimanche 22 novembre 2015-22:53:50

Dernière modification le : vendredi 23 août 2024-10:53:47

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Dates et versions

hal-01232115 , version 1 (22-11-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01232115 , version 1

Citer

Hakim Arezki, Mohamed Boutchich, David Alamarguy, Fethullah Gunes, Ali Madouri, et al.. Electronic properties of CVD Graphene capped with p and n-type doped amorphous silicon. 26th International Conference on Amorphous and nanocrystalline Semiconductors (ICANS 26), Sep 2015, Aachen, Germany. ⟨hal-01232115⟩

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