Interfaces in (p) a-Si:H/(n) c-Si heterojunctions: influence of (i) a-Si:H buffer layer and front electrode on capacitance-temperature dependencies and strong inversion layers - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Interfaces in (p) a-Si:H/(n) c-Si heterojunctions: influence of (i) a-Si:H buffer layer and front electrode on capacitance-temperature dependencies and strong inversion layers

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01232109

Soumis le : dimanche 22 novembre 2015-22:42:20

Dernière modification le : mardi 27 août 2024-09:36:58

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Dates et versions

hal-01232109 , version 1 (22-11-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01232109 , version 1

Citer

Olga Maslova, Raphaël Lachaume, J Alvarez, Jean-Paul Kleider. Interfaces in (p) a-Si:H/(n) c-Si heterojunctions: influence of (i) a-Si:H buffer layer and front electrode on capacitance-temperature dependencies and strong inversion layers. 26th International Conference on Amorphous and nanocrystalline Semiconductors (ICANS 26), Sep 2015, Aachen, Germany. ⟨hal-01232109⟩

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