a-Si:H doping by plasma immersion ion implantation for a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

a-Si:H doping by plasma immersion ion implantation for a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01232106

Soumis le : dimanche 22 novembre 2015-22:39:00

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01232106 , version 1 (22-11-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01232106 , version 1

Citer

Tristan Carrere, A.-S. Ozanne, Delfina Munoz, Jean-Paul Kleider. a-Si:H doping by plasma immersion ion implantation for a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells. 26th International Conference on Amorphous and nanocrystalline Semiconductors (ICANS 26), Sep 2015, Aachen, Germany. ⟨hal-01232106⟩

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