SiGe Low Temperature Epitaxy by PECVD on III-V MOVPE Grown Material for High Efficiency Tandem Solar Cell Applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

SiGe Low Temperature Epitaxy by PECVD on III-V MOVPE Grown Material for High Efficiency Tandem Solar Cell Applications

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01232098

Soumis le : dimanche 22 novembre 2015-22:09:19

Dernière modification le : jeudi 1 août 2024-13:48:05

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Dates et versions

hal-01232098 , version 1 (22-11-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01232098 , version 1

Citer

Jean Decobert, Romain Cariou, Kevin Louarn, Catherine Fortin, Raphaël Lachaume, et al.. SiGe Low Temperature Epitaxy by PECVD on III-V MOVPE Grown Material for High Efficiency Tandem Solar Cell Applications. 16th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, EWMOVPE XVI, Jun 2015, Lund, Sweden. ⟨hal-01232098⟩

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