Modification of poly(styrene) thin films and enhancement of cryogenic plasma etching resistance by ruthenium tetroxide vapor staining - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Polymer Année : 2015

Modification of poly(styrene) thin films and enhancement of cryogenic plasma etching resistance by ruthenium tetroxide vapor staining

Domaines

Chimie Physique des plasmas [physics.plasm-ph] Matériaux

Thomas Tillocher  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01228427

Soumis le : vendredi 13 novembre 2015-10:17:27

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-11:28:03

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Dates et versions

hal-01228427 , version 1 (13-11-2015)

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Citer

Alexane Vital, Marylène Vayer, Christophe Sinturel, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, et al.. Modification of poly(styrene) thin films and enhancement of cryogenic plasma etching resistance by ruthenium tetroxide vapor staining. Polymer, 2015, 76, pp.123-130. ⟨10.1016/j.polymer.2015.08.062⟩. ⟨hal-01228427⟩

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