Intersubband transitions in nonpolar GaN/Al(Ga)N heterostructures in the short- and mid-wavelength infrared regions - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2015

Intersubband transitions in nonpolar GaN/Al(Ga)N heterostructures in the short- and mid-wavelength infrared regions

C. B. Lim
Nanophysique et Semiconducteurs
CV
M. Beeler
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
A. Ajay
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
J. Lähnemann
  • Fonction : Auteur
E. Bellet-Amalric
Nanophysique et Semiconducteurs
C. Bougerol
Nanophysique et Semiconducteurs
E. Monroy
Nanophysique et Semiconducteurs

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Catherine Bougerol  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01226733

Soumis le : mardi 10 novembre 2015-09:11:45

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:07:02

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Dates et versions

hal-01226733 , version 1 (10-11-2015)

Identifiants

Citer

C. B. Lim, M. Beeler, A. Ajay, J. Lähnemann, E. Bellet-Amalric, et al.. Intersubband transitions in nonpolar GaN/Al(Ga)N heterostructures in the short- and mid-wavelength infrared regions. Journal of Applied Physics, 2015, 118 (1), pp.014309. ⟨10.1063/1.4926423⟩. ⟨hal-01226733⟩

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