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Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Experimental Study of a Bulk-Technology Tri-gates nMOSFET

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01217536 , version 1 (19-10-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01217536 , version 1

Citer

Inga Zbierska, Liviu Militaru, Françis Calmon, Sylvain Feruglio, Guo-Neng Lu. Experimental Study of a Bulk-Technology Tri-gates nMOSFET. Colloque du GDR Systemes materiels-logiciels integres, Jun 2013, Lyon, France. ⟨hal-01217536⟩
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