Experimental Study of a Bulk-Technology Tri-gates nMOSFET - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Experimental Study of a Bulk-Technology Tri-gates nMOSFET

Inga Zbierska
  • Fonction : Auteur
INL - Dispositifs Electroniques
INL - Conception de Systèmes Hétérogènes
Liviu Militaru
INL - Dispositifs Electroniques
Françis Calmon
INL - Dispositifs Electroniques
CV
Sylvain Feruglio
Systèmes Electroniques
CV
Guo-Neng Lu
  • Fonction : Auteur
INL - Conception de Systèmes Hétérogènes

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Informatique [cs]

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https://hal.science/hal-01217536

Soumis le : lundi 19 octobre 2015-17:03:30

Dernière modification le : mardi 11 avril 2023-15:16:28

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01217536 , version 1 (19-10-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01217536 , version 1

Citer

Inga Zbierska, Liviu Militaru, Françis Calmon, Sylvain Feruglio, Guo-Neng Lu. Experimental Study of a Bulk-Technology Tri-gates nMOSFET. Colloque du GDR Systemes materiels-logiciels integres, Jun 2013, Lyon, France. ⟨hal-01217536⟩

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