Article Dans Une Revue
Electrochimica Acta
Année : 2015
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https://hal.science/hal-01215572
Soumis le : mercredi 14 octobre 2015-14:58:14
Dernière modification le : lundi 15 avril 2024-08:22:28
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01215572 , version 1
Citer
M.K.S. Barr, L. Assaud, Y. Wu, C. Laffon, Ph. Parent, et al.. Engineering a three-dimensional, photoelectrochemically active p-NiO/i-Sb2S3 junction by atomic layer deposition. Electrochimica Acta, 2015, 179, pp.504-511. ⟨hal-01215572⟩
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