Direct band gap InxGa1-xAs/Ge type II strained quantum wells for short-wave infrared p-i-n photodetector - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Optical Materials Année : 2015

Direct band gap InxGa1-xAs/Ge type II strained quantum wells for short-wave infrared p-i-n photodetector

N. Harbi
  • Fonction : Auteur
N. Sfina
  • Fonction : Auteur
A. Jbeli
  • Fonction : Auteur
J-L. Lazzari
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
CV
M. Said
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.science/hal-01176915

Soumis le : jeudi 16 juillet 2015-11:17:42

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:00

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Dates et versions

hal-01176915 , version 1 (16-07-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01176915 , version 1

Citer

N. Harbi, N. Sfina, A. Jbeli, J-L. Lazzari, M. Said. Direct band gap InxGa1-xAs/Ge type II strained quantum wells for short-wave infrared p-i-n photodetector. Optical Materials, 2015, 46, pp.472-480. ⟨hal-01176915⟩

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