MOVPE grown periodic AlN/BAlN heterostructure with high boron content
Xiaojian Li
,
S. Sundaram
(1)
,
Y. El Gmili
(2)
,
F. Genty
(1)
,
S. Bouchoule
(3)
,
G. Patriache
(3)
,
P. Disseix
(4)
,
F. Réveret
(4)
,
Joël Leymarie
(5)
,
Jean-Paul Salvestrini
(1)
,
R.D. Dupuis
(6)
,
P.L. Voss
,
A. Ougazzaden
(2)
1
LMOPS -
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes
2 Georgia Tech Lorraine [Metz]
3 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
4 IP - Institut Pascal
5 LASMEA - Laboratoire des sciences et matériaux pour l'électronique et d'automatique
6 MIPS - Modélisation, Intelligence, Processus et Système
2 Georgia Tech Lorraine [Metz]
3 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
4 IP - Institut Pascal
5 LASMEA - Laboratoire des sciences et matériaux pour l'électronique et d'automatique
6 MIPS - Modélisation, Intelligence, Processus et Système
Xiaojian Li
- Fonction : Auteur
F. Genty
- Fonction : Auteur
- PersonId : 4537
- IdHAL : frederic-genty
- IdRef : 13776670X
F. Réveret
- Fonction : Auteur
- PersonId : 22077
- IdHAL : francois-reveret
- IdRef : 12972744X
Joël Leymarie
- Fonction : Auteur
- PersonId : 835166
Jean-Paul Salvestrini
- Fonction : Auteur
- PersonId : 4546
- IdHAL : jean-paul-salvestrini
- ORCID : 0000-0002-0482-1178
- IdRef : 121284727
P.L. Voss
- Fonction : Auteur
A. Ougazzaden
- Fonction : Auteur
- PersonId : 758530
- ORCID : 0000-0002-9959-5280