Multijunction photovoltaics: integrating III–V semiconductor heterostructures on silicon - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue SPIE Newsroom Année : 2015

Multijunction photovoltaics: integrating III–V semiconductor heterostructures on silicon

Résumé

Gallium arsenide phosphide nitride shows promise for developing highefficiency tandem solar cells on low-cost silicon substrates
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hal-01166437 , version 1 (23-06-2015)

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Citer

Olivier Durand, Samy Almosni, Charles Cornet, Antoine Létoublon, Christophe Levallois, et al.. Multijunction photovoltaics: integrating III–V semiconductor heterostructures on silicon. SPIE Newsroom, 2015, Solar & Alternative Energy, pp.x113168. ⟨10.1117/2.1201503.005793⟩. ⟨hal-01166437⟩
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