Etude de l’effet « belly shape » dans les HEMT GaN sur substrat SiC
Résumé
Dans cette communication, nous étudions un effet parasite appelé « belly shape », qui se caractérise par l’apparition d’un courant de fuite en excès sur la caractéristique en direct de la diode Schottky pour des faibles valeurs de VGS, et qui apparaît au cours des tests de vieillissement après seulement quelques heures de test. Des mesures électriques en température, des mesures de bruit en basses fréquences et des mesures de microscopie à émission de lumière (EMMI) nous permettent de proposer une interprétation physique de ce mécanisme.