Etude de l’effet « belly shape » dans les HEMT GaN sur substrat SiC - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Etude de l’effet « belly shape » dans les HEMT GaN sur substrat SiC

Résumé

Dans cette communication, nous étudions un effet parasite appelé « belly shape », qui se caractérise par l’apparition d’un courant de fuite en excès sur la caractéristique en direct de la diode Schottky pour des faibles valeurs de VGS, et qui apparaît au cours des tests de vieillissement après seulement quelques heures de test. Des mesures électriques en température, des mesures de bruit en basses fréquences et des mesures de microscopie à émission de lumière (EMMI) nous permettent de proposer une interprétation physique de ce mécanisme.

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01163624 , version 1 (15-06-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01163624 , version 1

Citer

Nathalie Malbert, Laurent Brunel, Dominique Carisetti, Arnaud Curutchet, Benoit Lambert, et al.. Etude de l’effet « belly shape » dans les HEMT GaN sur substrat SiC. JFMMA 2015, May 2015, meknes, Maroc. ⟨hal-01163624⟩
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