Guides d'onde optiques plans à base de silicium poreux dopés aux ions Er3+
Résumé
Des études par microanalyse X et par Photoluminescence (PL) dans l’IR ont été effectuées sur des guides d’onde plans à base de silicium poreux dopés Erbium en fonction des conditions de dopage (cathodisation électrochimique et traitements thermiques). En faisant varier la densité de courant et la durée de cathodisation, nous avons montré que le dopage est homogène dans toute la profondeur de la couche de guidage pour une densité de courant égale à 0.1 mA/cm2 pendant 10 minutes. Ensuite, l’intensité intégrée de PL autour de 1.55 µm a été étudiée en fonction de la durée d’oxydation à 900 °C d’une part et en fonction de la température de diffusion et d’activation pendant 60 minutes d’autre part.
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