Niobium Nitride Thin Films deposited by High Temperature Chemical Vapor Deposition - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01138859 , version 1 (02-04-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01138859 , version 1

Citer

Florian Mercier, S. Coindeau, S. Lay, A. Crisci, M. Benz, et al.. Niobium Nitride Thin Films deposited by High Temperature Chemical Vapor Deposition. 3CG Collaborative Conference on Crystal Growth, 2014, Phuket, Thailand. ⟨hal-01138859⟩
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